7.7 DEPLETION-TYPE MOSFETs
Sub Chapter 7.7
DEPLETION-TYPE MOSFETs
1. Tujuan [back]
2. Komponen [back] Depletion-type mosfets memiliki kemiripan penampilan dengan kurva transfer JFET yang mengizinkan analisis dalam domain dc
Dan perbedaan keduanya adalah kenyataan bahwa depletion-type mosfets memungkinkan titik operasi dengan nilai positif VGS dan tingkat ID melebihi IDSS dan analisisnya sama jika JFET digantikan dengan Depletion-type mosfets
Dan satu satunya yang tidak terdefenisi adalah bagaimana merencanakan persamaan shockley untuk positif nilai VGS, seberapa jauh ke wilayah nilai positif VGS dan nilai ID lebih besar dari IDSS apakah kurva transfer harus diperpanjang?
Untuk sebagian situasi, rentang yang diperlukan akan didefenisikan oleh parameter mosfet dan garis bias yang dihasilkan jaringan
3a. Example [back]
1. 
untuk n-channel depletion-type mosfets, tentukan:
jawaban:
a. untuk karakteristik transfer dapat didefenisikan oleh
ID = IDSS/4 = 6 mA/4 = 1.5 mA dan VGS = VP/2 = -3V/2 = -1.5V
mengingat tingkat VP dan fakta persamaan shockley mendefinisikan kurva naik karena VGS lebih positif, titik plot akan didefinisikan di VGS = +1V menggantikan persamaan shockley
sehingga kurva yang dihasilkan 7.13
sehingga didapatkan
b.
2. sama kayak contoh soal no.1 dengan RS = 150 ohm
jawaban:
a. titik plot sama untuk kurva transfer seperti gambar 7.32 untuk garis bias
hasil titik diam dalam arus saluran pembuangan yang melebihi IDSS dengan positif VGS, hasilnya:
b. 
3. Tentukan VDS dri rangkaian di bawah
jawaban:
hubungan langsung antara gerbang dan terminal sumber membutuhkan itu
VGS = 0V
karena VGS sama dengan 0 V , arussaluran pembuangan harus IDSS
3b. Problem [back]
1. dari gambar 7.92 tentukan :
jawaban:
2. dari gambar 7.93 tentukan :
jawaban:
3. dari gambar 7.93 tentukan :
jawaban:
Komentar
Posting Komentar